Bronvermelding: https://jeweka.nl/category/theorie-en-werkboeken Module 4 Hoofdstuk 2 Paragraaf 2.9 Blz 126 t/m 130

Weet je dat de Transistorversterker is ontwikkel door William Shockley, John Bardeen en Walter Brattain? Deze wetenschappers waren op zoek naar een vervanging voor de vacuümbuizen die in de eerste computers werden gebruikt. Vlak voor de Kerstmis van 1947 maakte het drietal de eerste transistor. Deze transistor verbruikte minder energie en was veel kleiner. In 1956 kregen de heren de Nobelprijs voor hun uitvinding. Lees in dit Artikel verder over de karakteristieken van een Transistor.

Voordat je verder leest!

Voordat je verder leest kijk eerst eens naar de volgende artikelen die ook over de transistor gaan:

Verschillende Klasse instellingen Transistor

Werking Transistor en het Transistoreffect

Fundamentele schakelingen;

Behuizing en Basistoepassing;

Karakteristieken Transistor

Bij de berekening van de hfe zijn we tot nu toe uitgegaan van een waarde die gegeven is. Echter deze waarde kun je uit een datasheet halen of grafisch bepalen met behulp van een Karakteristiek, zoals in onderstaande afbeelding te zien is.

Karakteristieken Transistor: De volledige vorm

Karakteristieken Transistor: De ingangskarakteristiek

De ingangskarakteristiek, in het derde kwadrant, geeft het grafisch verband tussen Ib en Ube voor één bepaalde waarde van Uce.

  • Men stelt Uce in en verandert Ube in stappen en noteert de bijbehorende Ib;
  • De ingangskarakteristiek is temperatuur afhankelijk en schuift 2 mV/°C naar links;
  • Men tekent deze karakteristiek meestal in het 3e kwadrant.

In Onderstaande afbeelding is verder de invloed van de transistortemperatuur te zien. Zoals reeds eerder behandeld, is deze temperatuur van invloed op de geleiding van de transistor.

De ingangskarakteristiek van een transistor

De stroomversterkingskarakteristiek van een Transistor

Deze karakteristieken transistor, in het 2de kwadrant, geeft aan de invloed van Ib op Ic bij een constante waarde van de collector-emitterspanning Uce. De stroomversterkingskarakteristiek wordt ook wel stuurkarakteristiek genoemd.

In onderstaande afbeelding zie je dat deel van de tot karakteristieken transistor uit afbeelding 2.27. Zoals je weet geeft de verhouding tussen Ic en Ib de Hfe aan.

Karakteristieken Transistor: De stroomversterkingskarakteristiek

De uitgangskarakteristiek van een Transistor

Een uitgangskarakteristiek, in het 1ste kwadrant, geeft het verband aan tussen een uitgangsgrootheid en een ingangsgrootheid (zie onderstaande afbeelding). De transferkarakteristiek wordt ook wel uitgangskarakteristiek genoemd.

Bij de GES is dit Ic als functie van Ube. Op de horizontale lijn is Uce uitgezet en op de verticale as is dit Ic. De lijnen die vanuit het nulpunt beginnen zijn de lijnen waarbij de waarde van Ib is af te lezen. In onderstaande afbeelding zie je dat een lijn is getrokken tussen Uce=10V en Ic is ongeveer 30mA.

De verhouding tussen Uce en Ic

Wanneer je in dit voorbeeld de waarden afleest in snijpunt R dan zie je dat Uce ongeveer 4V is en Ic ongeveer 18mA is. Op deze manier is grafisch de waarde van Ib af te lezen.

In onderstaande afbeelding zie je hoe grafisch de waarde bepaald zijn. Voor het aflezen begin je horizontaal in het eerste kwadrant. Bij een Uce van 4 volt is de waarde van Ic 3,5mA. Vervolgens is de waarde van Ib 10 Micro ampere en de waarde van Ube= 600mV.

De volledige karakteristiek

Bronvermelding: https://jeweka.nl/category/theorie-en-werkboeken Module 4 Hoofdstuk 2 Paragraaf 2.9 Blz 126 t/m 130

Geef een reactie

Deze site gebruikt Akismet om spam te verminderen. Bekijk hoe je reactie-gegevens worden verwerkt.